德國(guó)原廠進(jìn)口貝克BEHLKE 液體冷卻器

液體冷卻器 

 

LC-200W●液體冷卻器，最高可使用 200W，用于連接現(xiàn)有散熱器或大型金屬外殼，90 x 60 x 42 mm³ 

 

LC-1500W●液體冷卻器，最高可使用 1500W，用于連接現(xiàn)有散熱器或大型金屬外殼，250 x 144 x 50 mm³

 

擇： 高壓和脈沖電源應(yīng)用總是意味著存在一定的火花和閃絡(luò)風(fēng)險(xiǎn)，尤其是在環(huán)境條件、操作條件或負(fù)載條件發(fā)生意外變化的情況下。因此，固態(tài)開(kāi)關(guān)的峰值電流能力應(yīng)始終盡可能高，至少要高于應(yīng)用可能出現(xiàn)的短路電流。關(guān)于額定電壓的選擇，我們建議 MOSFET 開(kāi)關(guān)的安全裕度至少為 5%，所有雙極開(kāi)關(guān)（IGBT、MCT、SCR）的安全裕度至少為 20%，以最大程度地降低因意外電壓波動(dòng)或意外反激電壓造成損壞的風(fēng)險(xiǎn). 長(zhǎng)期可靠性分別為 高壓固態(tài)開(kāi)關(guān)的平均故障間隔時(shí)間 (MTBF) 始終是其工作溫度的函數(shù)。因此，我們強(qiáng)烈建議盡可能僅在中等溫度下操作開(kāi)關(guān)。這主要通過(guò)選擇足夠的導(dǎo)通電阻、電流容量、自然電容和耦合電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。請(qǐng)參考我們的 電阻性和電容性功率損耗計(jì)算的一般說(shuō)明。如果計(jì)算出的功耗超過(guò) 開(kāi)關(guān)的 P d(max)額定值，則必須添加適當(dāng)?shù)睦鋮s選項(xiàng)。請(qǐng)注意，個(gè)人 P d(max) 額定值始終參考 25°C 的外殼溫度。這種實(shí)驗(yàn)室測(cè)試條件在實(shí)踐中當(dāng)然沒(méi)有給出。設(shè)計(jì)人員還必須考慮增加的環(huán)境溫度以及運(yùn)行中的實(shí)際外殼溫度。因此，許多應(yīng)用需要特殊的冷卻措施。BEHLKE 為各種情況提供廣泛的冷卻選項(xiàng)。設(shè)計(jì)人員可以在陶瓷冷卻表面、散熱片、冷卻法蘭和使用水或電介質(zhì)冷卻劑的液體冷卻之間進(jìn)行選擇。請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表和以下產(chǎn)品調(diào)查了解更多信息。 技術(shù)支持： 為了排除任何技術(shù)上的誤解，為了客戶的利益，我們不提供任何口頭咨詢或電話技術(shù)支持，除非是不可避免的緊急情況。第一次咨詢時(shí)，請(qǐng)仔細(xì)填寫(xiě)我們的問(wèn)卷或在單獨(dú)的表格中盡可能準(zhǔn)確地描述您的申請(qǐng)，然后通過(guò)電子郵件將其發(fā)送給 BEHLKE  或傳真。我們向您保證，您的所有技術(shù)信息都將嚴(yán)格保密。提交的保密協(xié)議 (NDA) 將在一個(gè)工作日內(nèi)進(jìn)行合法驗(yàn)證和簽署。任何合格的售后支持都需要有關(guān)您的應(yīng)用程序的完整信息集。這包括繪制或草繪的電路圖、時(shí)序圖、測(cè)量值和示波器屏幕截圖，以及有關(guān)實(shí)際工作條件（電壓、電流、頻率、脈沖寬度、占空比、轉(zhuǎn)換時(shí)間、工作溫度等）的可靠信息。 . 實(shí)驗(yàn)設(shè)置的附加圖片有助于更高效、更快速地分析和排除應(yīng)用程序故障。由于我們的支持和開(kāi)發(fā)部門(mén)的高產(chǎn)能利用率，

 

另請(qǐng)注意，BEHLKE 是一家真正的零部件制造商。我們?yōu)槲覀兊漠a(chǎn)品提供免費(fèi)支持，但除非我們明確訂購(gòu)，否則我們不會(huì)開(kāi)發(fā)應(yīng)用程序。我們也不對(duì)我們產(chǎn)品在客戶應(yīng)用中的功能承擔(dān)任何責(zé)任或保證。感謝您的理解。

 

 

 

晶閘管 / 晶閘管 / 可控硅 固定準(zhǔn)時(shí) 可變接通時(shí)間 VAR。推拉 高壓脈沖發(fā)生器 高壓二極管 高壓 液體冷卻 高壓元件

 

  開(kāi)關(guān)，電流取決于導(dǎo)通時(shí)間，可控硅晶閘管。 千安應(yīng)用，充電和放電，撬棍。

  開(kāi)關(guān)，固定導(dǎo)通時(shí)間，標(biāo)準(zhǔn)，MOSFET。一般脈沖應(yīng)用、充電和放電、脈沖電場(chǎng)。

  開(kāi)關(guān)，固定導(dǎo)通時(shí)間， 高 di/dt，MOSFET。大電流、高頻、卓越的突發(fā)能力、快速充放電。

  開(kāi)關(guān)，固定導(dǎo)通時(shí)間，超快， MOSFET 。大電流、高di/dt 、中低頻、超快充放電。

  開(kāi)關(guān)，固定導(dǎo)通時(shí)間，低導(dǎo)通電阻，溝槽 FET。  大電流，中速充放電。

  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，標(biāo)準(zhǔn)，MOSFET。 一般脈沖和開(kāi)關(guān)應(yīng)用，快速上升時(shí)間，高頻。

  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，高 di/dt，MOSFET。 ^ hIGH在中等頻率的電流，快速上升時(shí)間。

  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，低電容，MOSFET。 低耦合電容。LC2 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)具有出色的瞬態(tài)抗擾度。

  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，低導(dǎo)通電阻，碳化硅 FET 和溝槽 FET。 高電流、低導(dǎo)通損耗

  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，交流 MOSFET。pos的雙向開(kāi)關(guān)。＆否定。電壓無(wú)極變化。交流高達(dá) 5 MHz。

  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，IGBT。中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開(kāi)關(guān)。

  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，MCT 晶閘管。 中等頻率下的高 di/dt 和電流能力。真正的通斷開(kāi)關(guān)。

  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，推挽，MOSFET。半橋配置中的兩個(gè)開(kāi)關(guān)路徑。真正的方波脈沖。

  開(kāi)關(guān)，可變導(dǎo)通時(shí)間，交流推挽，MOSFET。無(wú)極性變化的正負(fù)電壓半橋。

   高壓脈沖發(fā)生器單元。實(shí)驗(yàn)室脈沖發(fā)生器單元、特殊用途的 OEM 脈沖發(fā)生器單元、普克爾斯電池驅(qū)動(dòng)器。

  FDA，快速恢復(fù)高壓二極管組件?？焖倮m(xù)流二極管和網(wǎng)絡(luò)。

  DLC，用于高壓電子設(shè)備的直接液體冷卻。泵組、散熱器、熱交換器、冷卻劑等。

  高壓零件組件和配件。電阻器、電容器、快速高壓探頭、超快速高壓衰減器。