Behlke高壓開關雙向/交流電壓MOSFET
●具有真正繼電器特性的多功能HV開關●極性無關●非常適合振蕩電路和常規(guī)RF應用●可通過TTL信號控制導通時間●過載和電壓反轉方面都很可靠●現(xiàn)在可用:LC2技術可提供最高的瞬態(tài)抗擾性
技術說明: BEHLKE固態(tài)開關具有極高的上升和下降時間。如果您的應用不需要全開關速度,我們建議您結合使用速度限制選件S-TT (將上升和下降時間降低約50%)和 輸入低通濾波器選件LP結合使用。這些選件有助于最大程度地減少快速高壓脈沖電路常見的高頻困難(例如,自激振蕩或自觸發(fā)),并總體上簡化了EMC設計。
產(chǎn)品代碼: 型號包含有關電壓,電流和開啟行為的編碼信息。前幾位代表電壓,單位為kV,破折號前的最后一位代表接通行為(0 =固定接通時間,1 =可變接通時間)。破折號后的數(shù)字表示以安培x10為單位的電流。第二個破折號后的字母表示特殊功能。示例HTS 11-07-AC -C:HTS =高壓晶體管開關,1 = 1 kV,1 =可變導通時間,07 = 70安培,AC =交流電,C =緊湊系列
常用型號:
Behlke TS 11-07-AC-C
Behlke HTS 31-02-AC-LC-C
Behlke HTS 31-03-AC-C
Behlke HTS 31-06-AC-BC
Behlke HTS 31-13-AC-BC
Behlke HTS 41-02-AC-C
Behlke HTS 61-01-AC-C
Behlke HTS 91-01-AC-C
Behlke HTS 21-07-AC-C
Behlke HTS 71-02-AC-LC-C
Behlke HTS 61-03-AC-C
Behlke HTS 71-06-AC-BC
Behlke HTS 71-13-AC-BC
Behlke HTS 91-02-AC-C
Behlke HTS 101-02-AC-LC-C
Behlke HTS 121-01-AC-C
Behlke HTS 181-01-AC-C
BehlkeHTS 61-03-AC
CON 初學者的配置: 標準開關配備了各種選件,可以為沒有高壓和高頻電路設計經(jīng)驗的用戶簡化首次實驗。初學者的配置包括FH和PT-HV選件,可輕松進行布線和連接,而無需印刷電路板;以及LS-C,LP和S-TT選件,可實現(xiàn)非關鍵的EMC性能。沒有經(jīng)驗的用戶還應考慮與選件I-PC或PC結合使用,以避免高壓接線和/或高頻噪聲行為可能造成的困難。(2)
HFB
高頻突發(fā):通過外部緩沖電容器改善驅動器的突發(fā)能力。如果產(chǎn)生的間隔小于10μs的脈沖超過10個,則建議使用。
高鐵
高頻開關:外部提供輔助驅動器電壓(根據(jù)類型為50-350 VDC)。是否必須超過規(guī)定的“最大工作頻率”。(2)
LP
低通:控制輸入??上的低通濾波器。傳播延遲時間將增加約50 ns。抖動+ 500 ps。在高速應用中提高了抗噪能力,并減少了關鍵布線。(3)
S-TT
軟過渡時間:“開啟上升時間”和“關閉上升時間”增加了約20%。如果不需要最短的邊緣陡度,則可以簡化EMC設計并減少關鍵性布線。(3)
最小開啟
最小接通時間:單獨增加最小接通時間,以確保獨立于控制信號的最小接通持續(xù)時間。用于安全相關電路。
最小關
最小關閉時間:單獨增加最小關閉時間,以確保獨立于控制信號的最小關閉持續(xù)時間。用于安全相關電路。
ST
級分接: 在堆疊各個級的連接器,以利用單個功率半導體。為了在非常低的工作電壓(<0.01xVo)下也獲得快速的上升時間。
LNC
低自然電容:C N降低約30%。為了在具有高開關頻率和高開關電壓(Pc = V 2 x C xf)的應用中最小化電容性功率損耗。
二
低漏電流:斷態(tài)電流降至指定值的10%以下。不適用于散熱片選件和UF系列的開關。
LN
低噪聲: 內部電源驅動器經(jīng)過修改,可在特定時間段內實現(xiàn)零噪聲排放。僅與靈敏的檢測放大器(例如SEV / MCP應用)結合使用。(2)
ISO-25
25 kV隔離: 隔離電壓增加到25 kVDC。某些型號的外殼尺寸可能會改變。
ISO-40
40 kV隔離: 隔離電壓增加到40 kVDC。某些型號的外殼尺寸可能會改變。僅與選件PT-HV有關。
ISO-80
80 kV隔離: 隔離電壓增加到80 kVDC。某些型號的外殼尺寸可能會改變。僅與選件PT-HV有關。
ISO-120
120 kV隔離:隔離電壓增加到120 kVDC。某些型號的外殼尺寸可能會改變。僅與選件PT-HV有關。
PL
被動鎖定:特殊的禁止功能,用于快速推挽電路中的兩個單個開關。無源開關的輸入將被激活的開關鎖定,以避免因噪聲而導通。
電腦
集成的零件組件:根據(jù)客戶的規(guī)格集成小零件的組件(例如,緩沖電容器,緩沖器,阻尼電阻器,二極管,光電耦合器)。(2)
前輪驅動
集成式自由二極管: 內置并聯(lián)二極管,恢復時間短。僅與感性負載有關。
固網(wǎng)
集成式空轉二極管網(wǎng)絡:內置并聯(lián)二極管加串行截止二極管,恢復時間短。僅與感性負載有關。
低碳
用于控制連接的LEMO插座。輸入Z =100Ω。隨附了帶有兩個插頭和一個插座的組裝的鏈接電纜(1m / 3ft)。為了提高抗噪能力。(3)
PT-C
用于控制連接的引線:帶AMP-modu插頭的柔性引線(l = 75 mm)。僅指帶引腳的交換模塊。建議用于帶有CF和GCF選項的模塊。
高壓
高壓連接的尾纖:帶電纜接線頭的柔性引線。為了增加爬電距離。PT-HV是開關電壓大于25 kV的所有類型的標準配置。不適用于極快的電路。
ST-HV
高壓連接的螺絲端子:模塊底部的螺紋插入件,用于PCB的連接。在25 kV以上的電壓下運行需要液體絕緣(Galden®/油)或灌封。
9月
獨立控制單元。 帶LED指示器的控制單元在單獨的外殼中(尺寸為79x38x17 mm)。帶插頭的連接電纜(<1m)。帶焊針或尾纖的控制單元。
信息系統(tǒng) 光纖輸入/禁止:附加的禁止輸入,通過將禁止輸入與光纖信號一起使用來關閉開關(僅與選件SEP-C組合使用)(2)
信息技術 光纖輸入/控制:附加的光纖控制輸入,通過光纖信號觸發(fā)開關(僅與選件SEP-C組合使用)(2)
FOO-F 光纖輸出/故障:附加的光纖輸出,用于通過光纖信號讀出故障情況(僅與選件SEP-C組合使用)(2)
UL94
阻燃鑄造樹脂:符合UL-94-VO的鑄造樹脂。所需的最低訂購量。(2)
跳頻 法蘭外殼: 塑料法蘭外殼,用于絕緣連接到導電表面。如果該開關不適用于印刷電路板,則是理想選擇。建議使用選項PT-HV。
TH
管狀殼體:管狀而不是矩形殼體。適應特定的環(huán)境條件或遇到困難的組裝情況。(2)
足球俱樂部
平整外殼: 標準塑料外殼的高度減小到19毫米或更小。不能與CF,GCF和DLC冷卻選項組合使用。
國貿中心
增加的導熱系數(shù):特殊的模制工藝可增加模塊的導熱系數(shù)。P d(max)將增加約。20-30%。(2)
碳纖維
銅散熱片d = 0.5毫米:散熱片 高度35毫米。鍍鎳。用于強制對流或自然對流的空氣冷卻,以及非導電冷卻液的液體冷卻。
CF-1
銅散熱片d = 1毫米:散熱片厚度為1.0毫米而不是0.5毫米。最高 功耗Pd(max)將增加約80%。用于空氣或液體冷卻(例如Galden®或油)。
CF-X2
銅散熱片“ XL”:散熱片面積增加了2倍。推薦用于自然空氣對流。與強制空氣或液體冷卻有關的冷卻功率沒有明顯改善。
CF-X3
銅制散熱片“ XXL”:散熱片面積增加了3倍。推薦用于自然空氣對流。與強制空氣或液體冷卻有關的冷卻功率沒有明顯改善。
CF-CS
定制形狀的銅散熱片:個性化的形狀可以滿足特定的OEM要求。(2)可以與選件CF-1,CF-D和CF-S組合使用,以提高冷卻能力。
CF-LC
用于液體冷卻的銅散熱片:雙散熱片,鍍鎳銅,高20毫米。用于浸入油箱等中。建議強制對流。與opt組合。CF-S。
碳纖維
雙銅 散熱片: 約。約100%的冷卻功率 散熱片之間的間距為2mm,建議強制對流。與opt組合。CF-S,CF-X2,CF-X3和CF-CS。
碳纖維
銅散熱 片:半導體焊接在散熱片上。約 冷卻能力提高30%至100%(取決于類型)。與選件CF-D,CF-X2,CF-X3和CF-CS組合。
CF卡
由石墨制成的非隔離式散熱片: 在類似的熱傳遞條件下,與銅相比,重量很輕,但熱容卻降低了。厚度為0.5或1毫米,高度為35毫米。
碳減排量
陶瓷制成的隔離式散熱片: 傳熱特性類似于氧化鋁。建議使用強制對流,因為散熱片之間的間距為2 mm。高度35毫米。
CCS
陶瓷冷卻表面:開關模塊的頂部由陶瓷制成。傳熱性能類似于氧化鋁。最高 20 kVDC隔離。建議強制對流。
CCF
陶瓷冷卻法蘭:開關模塊的底部由平磨陶瓷板制成。集成金屬框架,確保均勻,安全的接觸壓力。最高 40 kVDC隔離。
C-DR
驅動 器冷卻:驅動器和控制電子設備的額外冷卻。建議在較高的開關頻率下與選件HFS結合使用。(2)
GCF
接地的冷卻法蘭:中功率的鍍鎳銅法蘭。最高 隔離電壓40kV。耦合電容CC增加。
GCF-X2
接地冷卻法蘭,最大值 連續(xù)功耗增加了2 倍:減小了“切換到法蘭”的熱阻,使功率消耗增加了一倍。(2)
國際勞工大會
我ndirect液體冷卻: 液體冷卻對于所有類型的導電冷卻劑含。水。內部熱交換器由陶瓷制成。用于中等功耗。
DLC
直接液體冷卻: 內部冷卻通道環(huán)繞功率半導體。高頻應用中最有效的冷卻方式。僅非導電冷卻液。