Behlke高壓開關(guān)SiC和溝槽FET
● 通過碳化硅FET（SiC）或溝槽FET技術(shù)實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻 ● 具有真正繼電器特性的多功能HV開關(guān) ● 可通過TTL信號(hào)控制導(dǎo)通時(shí)間 ● 低動(dòng)態(tài)開關(guān)損耗和 極低的導(dǎo)通損耗 ● 適用于工業(yè)電源應(yīng)用 ● 過載和電壓反轉(zhuǎn)方面均很堅(jiān)固 ● 出色的dv / dt抗高壓瞬變能力
應(yīng)用說明一： BEHLKE固態(tài)開關(guān)具有極高的上升和下降時(shí)間。如果您的應(yīng)用不需要全切換速度，我們建議您結(jié)合使用速度限制選件S-TT（將上升和下降時(shí)間慢大約50％）與輸入低通濾波器選件LP結(jié)合使用。限速選件有助于最大程度地減少快速高壓脈沖電路常見的高頻困難（例如，自激振蕩，自觸發(fā)，振鈴等），并總體上簡(jiǎn)化了EMC設(shè)計(jì)。
應(yīng)用筆記二：快速固態(tài)開關(guān)對(duì)于不受鉗位的電感負(fù)載或過大的布線電感產(chǎn)生的反向電流相對(duì)敏感。反向電流可能會(huì)以不確定的方式導(dǎo)通慢速本征（寄生）FET二極管，并且可能導(dǎo)致災(zāi)難性的開關(guān)故障，尤其是在關(guān)斷階段結(jié)合高關(guān)斷電流時(shí)。因此，當(dāng)將電感性負(fù)載或高電感性布線連接到開關(guān)時(shí)，建議始終將FET開關(guān)與快速續(xù)流二極管網(wǎng)絡(luò)（快速串聯(lián)隔離二極管+并聯(lián)快速續(xù)流二極管）組合使用。該保護(hù)二極管網(wǎng)絡(luò)可以通過BEHLKE FDA系列的單個(gè)二極管從外部安裝。它還可以作為選件I-FWDN集成到交換模塊中。
出口限制：根據(jù)美國(guó)法律和德國(guó)法律（雙重使用法規(guī)），對(duì)具有最大峰值電流等于或大于500安培的快速固態(tài)開關(guān)進(jìn)行出口限制。未經(jīng)美國(guó)或德國(guó)出口當(dāng)局的有效出口許可證，不得將這些貨物出口到第三國(guó)。可能需要最終用戶聲明。請(qǐng)咨詢BEHLKE。
產(chǎn)品代碼：型號(hào)包含有關(guān)電壓，電流和開啟行為的編碼信息。前幾位代表電壓，單位為kV，破折號(hào)前的最后一位代表接通行為（0 =固定接通時(shí)間，1 =可變接通時(shí)間）。破折號(hào)后的數(shù)字表示以安培x10為單位的電流。第二個(gè)破折號(hào)后的字母將對(duì)特殊功能進(jìn)行編碼。示例HTS 61-15-SiC：HTS = HV晶體管開關(guān)，6 = 6 kV，1 =可變導(dǎo)通時(shí)間，120 = 1200安培，SiC =碳化硅（或B =低導(dǎo)通電阻溝道FET）
B-CON
初學(xué)者的配置： 標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)配備了各種選件，可以為沒有高壓和高頻電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的用戶簡(jiǎn)化首次實(shí)驗(yàn)。初學(xué)者的配置包括FH和PT-HV選件，可輕松進(jìn)行布線和連接，而無需印刷電路板；以及LS-C，LP和S-TT選件，可實(shí)現(xiàn)非關(guān)鍵的EMC性能。沒有經(jīng)驗(yàn)的用戶還應(yīng)考慮與選件I-PC或PC結(jié)合使用，以避免高壓接線和/或高頻噪聲行為可能造成的困難。（2）
HFB 高頻突發(fā)：通過外部緩沖電容器改善驅(qū)動(dòng)器的突發(fā)能力。如果產(chǎn)生的間隔小于10μs的脈沖超過10個(gè)，則建議使用。
高鐵
高頻開關(guān)：外部提供輔助驅(qū)動(dòng)器電壓（根據(jù)類型為50-350 VDC）。是否必須超過規(guī)定的“最大工作頻率”。（2）
LP
低通：控制輸入??上的低通濾波器。傳播延遲時(shí)間將增加約50 ns。抖動(dòng)+ 500 ps。在高速應(yīng)用中提高了抗噪能力，并減少了關(guān)鍵布線。（3）
快速
由于增加了驅(qū)動(dòng)器功率，因此切換時(shí)間更快（-30至-40％）。最短接通時(shí)間將減少約40％至50％。僅適用于選定的大電流開關(guān)。請(qǐng)咨詢工廠。（2）
兒子
軟啟動(dòng)： “啟動(dòng)上升時(shí)間”增加了約20％。如果不需要最短的邊緣陡度，則可以簡(jiǎn)化EMC設(shè)計(jì)并減少關(guān)鍵性布線。（3）
關(guān)閉
軟關(guān)閉：“關(guān)閉上升時(shí)間”增加了約20％。如果不需要最短的邊緣陡度，則可以簡(jiǎn)化EMC設(shè)計(jì)并減少關(guān)鍵性布線。（3）
S-TT
軟過渡時(shí)間：“開啟上升時(shí)間”和“關(guān)閉上升時(shí)間”增加了約20％。如果不需要最短的邊緣陡度，則可以簡(jiǎn)化EMC設(shè)計(jì)并減少關(guān)鍵性布線。（3）
最小開啟
最小接通時(shí)間：?jiǎn)为?dú)增加最小接通時(shí)間，以確保獨(dú)立于控制信號(hào)的最小接通持續(xù)時(shí)間。用于安全相關(guān)電路。
最小關(guān)
最小關(guān)閉時(shí)間：?jiǎn)为?dú)增加最小關(guān)閉時(shí)間，以確保獨(dú)立于控制信號(hào)的最小關(guān)閉持續(xù)時(shí)間。用于安全相關(guān)電路。
ST
級(jí)分接： 在堆疊各個(gè)級(jí)的連接器，以利用單個(gè)功率半導(dǎo)體。為了在非常低的工作電壓（<0.01xVo）下也獲得快速的上升時(shí)間。
LNC
低自然電容：C N降低約30％。為了在具有高開關(guān)頻率和高開關(guān)電壓（Pc = V 2 x C xf）的應(yīng)用中最小化電容性功率損耗。
二
低漏電流：斷態(tài)電流降至指定值的10％以下。不適用于散熱片選件和UF系列的開關(guān)。
LN
低噪聲： 內(nèi)部電源驅(qū)動(dòng)器經(jīng)過修改，可在特定時(shí)間段內(nèi)實(shí)現(xiàn)零噪聲排放。僅與敏感的檢測(cè)器放大器（例如，SEV / MCP應(yīng)用）結(jié)合使用。（2）
ISO-25
25 kV隔離： 隔離電壓增加到25 kVDC。某些型號(hào)的外殼尺寸可能會(huì)改變。
ISO-40
40 kV隔離： 隔離電壓增加到40 kVDC。某些型號(hào)的外殼尺寸可能會(huì)改變。僅與選件PT-HV有關(guān)。
ISO-80
80 kV隔離： 隔離電壓增加到80 kVDC。某些型號(hào)的外殼尺寸可能會(huì)改變。僅與選件PT-HV有關(guān)。
ISO-120
120 kV隔離：隔離電壓增加到120 kVDC。某些型號(hào)的外殼尺寸可能會(huì)改變。僅與選件PT-HV有關(guān)。
PL
被動(dòng)鎖定：特殊的禁止功能，用于快速推挽電路中的兩個(gè)單個(gè)開關(guān)。無源開關(guān)的輸入將被激活的開關(guān)鎖定，以避免因噪聲而導(dǎo)通。
電腦
集成的零件組件：根據(jù)客戶的規(guī)格集成小零件的組件（例如，緩沖電容器，緩沖器，阻尼電阻器，二極管，光電耦合器）。（2）
前輪驅(qū)動(dòng)
集成式自由二極管： 內(nèi)置并聯(lián)二極管，恢復(fù)時(shí)間短。僅與感性負(fù)載有關(guān)。
固網(wǎng)
集成式空轉(zhuǎn)二極管網(wǎng)絡(luò)：內(nèi)置并聯(lián)二極管加串行截止二極管，恢復(fù)時(shí)間短。僅與感性負(fù)載有關(guān)。
SPT-C
用于控制連接的屏蔽尾纖：帶LEMO插頭+插座和100Ω端接的電纜（l = 300mm，Z =100Ω）。與驅(qū)動(dòng)器電路的距離較遠(yuǎn)時(shí)，提高了抗噪能力。（3）
PT-C
尾纖用于控制連接：帶有PCB連接器的柔性引線（l = 75 mm）。該選項(xiàng)僅與帶引腳的開關(guān)模塊有關(guān)。推薦用于帶有CF和GCF選項(xiàng)的模塊。
密碼
用于控制連接的引腳：用于印刷電路板設(shè)計(jì)的鍍金引腳（可提供特殊插座）。該選項(xiàng)僅與帶有標(biāo)準(zhǔn)尾纖的交換模塊有關(guān)。
高壓
高壓連接的尾纖：帶電纜接線頭的柔性引線。為了增加爬電距離。PT-HV是開關(guān)電壓大于25 kV的所有類型的標(biāo)準(zhǔn)配置。不建議在極快的電路中使用。
ST-HV
用于HV連接的螺釘端子：模塊底部的螺紋插入件（如果不是標(biāo)準(zhǔn)的話）。用于PCB設(shè)計(jì)。在25 kV以上的電壓下運(yùn)行需要液體絕緣（Galden®/油）或灌封。
9月
獨(dú)立控制單元。 帶LED指示器的控制單元在單獨(dú)的外殼中（尺寸為79x38x17 mm）。帶插頭的連接電纜（<1m）。帶焊針或尾纖的控制單元。
信息系統(tǒng) 光纖輸入/禁止：附加的禁止輸入，通過將禁止輸入與光纖信號(hào)一起使用來關(guān)閉開關(guān)（僅與選件SEP-C組合使用）（2）
信息技術(shù) 光纖輸入/控制：附加的光纖控制輸入，通過光纖信號(hào)觸發(fā)開關(guān)（僅與選件SEP-C組合使用）（2）
FOO-F 光纖輸出/故障：附加的光纖輸出，用于通過光纖信號(hào)讀出故障情況（僅與選件SEP-C組合使用）（2）
UL94
阻燃鑄造樹脂：符合UL-94-VO的鑄造樹脂。所需的最低訂購(gòu)量。（2）
跳頻 法蘭外殼： 塑料法蘭外殼，用于絕緣連接到導(dǎo)電表面。如果該開關(guān)不適用于印刷電路板，則是理想選擇。建議使用選項(xiàng)PT-HV。
TH
管狀殼體：管狀而不是矩形殼體。適應(yīng)特定的環(huán)境條件或遇到困難的組裝情況。（2）
足球俱樂部
平整外殼：標(biāo)準(zhǔn)塑料外殼的高度減小到19毫米或更小。不能與CF，GCF和DLC冷卻選項(xiàng)組合使用。
國(guó)貿(mào)中心
增加的導(dǎo)熱系數(shù)：特殊的模制工藝可增加模塊的導(dǎo)熱系數(shù)。Pd（max）將增加約。20-30％。（2）
碳纖維
銅散熱片d = 0.5毫米：散熱片 高度35毫米。鍍鎳。用于強(qiáng)制對(duì)流或自然對(duì)流的空氣冷卻，以及非導(dǎo)電冷卻液的液體冷卻。
CF-1
銅散熱片d = 1毫米：散熱片厚度為1.0毫米而不是0.5毫米。最高 功耗Pd（max）將增加約80％。用于空氣或液體冷卻（例如Galden®或油）。
CF-X2
銅散熱片“ XL”：散熱片面積增加了2倍。推薦用于自然空氣對(duì)流。與強(qiáng)制空氣或液體冷卻有關(guān)的冷卻功率沒有明顯改善。
CF-X3
銅制散熱片“ XXL”：散熱片面積增加了3倍。推薦用于自然空氣對(duì)流。與強(qiáng)制空氣或液體冷卻有關(guān)的冷卻功率沒有明顯改善。
CF-CS
定制形狀的銅散熱片：個(gè)性化的形狀可以滿足特定的OEM要求。（2）可以與選件CF-1，CF-D和CF-S組合使用，以提高冷卻能力。
CF-LC
用于液體冷卻的銅散熱片：雙散熱片，鍍鎳銅，高20毫米。用于浸入油箱等中。建議強(qiáng)制對(duì)流。與opt組合。CF-S。
碳纖維
雙銅 散熱片： 約。約100％的冷卻功率 散熱片之間的間距為2mm，建議強(qiáng)制對(duì)流。與opt組合。CF-S，CF-X2，CF-X3和CF-CS。
碳纖維
銅散熱 片：半導(dǎo)體焊接在散熱片上。約 冷卻能力提高30％至100％（取決于類型）。與選件CF-D，CF-X2，CF-X3和CF-CS組合。
CF卡
由石墨制成的非隔離式散熱片： 在類似的熱傳遞條件下，與銅相比，重量很輕，但熱容卻降低了。厚度為0.5或1毫米，高度為35毫米。
碳減排量
陶瓷制成的隔離式散熱片： 傳熱特性類似于氧化鋁。建議使用強(qiáng)制對(duì)流，因?yàn)樯崞g的間距為2 mm。高度35毫米。
CCS
陶瓷冷卻表面：開關(guān)模塊的頂部由陶瓷制成。傳熱性能類似于氧化鋁。最高 20 kVDC隔離。建議強(qiáng)制對(duì)流。
CCF
陶瓷冷卻法蘭：開關(guān)模塊的底部由平磨陶瓷板制成。集成金屬框架，確保均勻，安全的接觸壓力。最高 40 kVDC隔離。
C-DR
驅(qū)動(dòng) 器冷卻：驅(qū)動(dòng)器和控制電子設(shè)備的額外冷卻。建議在較高的開關(guān)頻率下與選件HFS結(jié)合使用。（2）
GCF
接地冷卻法蘭：中功率的鍍鎳銅法蘭。最高 隔離電壓40kV。耦合電容CC增加。
GCF-X2
接地冷卻法蘭，最大值 連續(xù)功耗增加了2 倍：減小了“切換到法蘭”的熱阻，使功率消耗增加了一倍。（2）
國(guó)際勞工大會(huì)
間接液體冷卻： 液體冷卻適用于所有類型的導(dǎo)電冷卻劑，包括。水。內(nèi)部熱交換器由陶瓷制成。用于中等功耗。
DLC
直接液體冷卻：內(nèi)部冷卻通道環(huán)繞功率半導(dǎo)體。高頻應(yīng)用中最有效的冷卻方式。僅非導(dǎo)電冷卻液。
客服熱線：
