HVP高壓固態(tài)開關(guān)HTS 60-1000-SCR高峰值電流能力

高壓開關(guān)電流取決于時間，晶閘管/可控硅

與具有非常有限的 dv/dt 和 di/dt 功能的經(jīng)典圓盤晶閘管開關(guān)相比，

快速晶閘管開關(guān)模塊由大量并聯(lián)和串聯(lián)的較小晶閘管芯片（多達(dá) 1000 個單個晶閘管芯片）組成，

因此 dv/dt 和 di/dt 值可以有效地拆分為單個晶閘管的非臨界值。

每個晶閘管都由其自身高度同步和隔離的柵極驅(qū)動器點(diǎn)火。

這允許非常短的柵極布線，并避免危險的熱點(diǎn)，例如經(jīng)典晶閘管開關(guān)設(shè)計(jì)中已知的熱點(diǎn)。

設(shè)備

高峰值電流能力

高度擁堵容限

通過簡單的 TTL 觸發(fā)脈沖 （2-5 V） 輕松觸發(fā)

技術(shù)參數(shù)

最大電壓 （kV）6

峰值電流 （A）10000

峰值功率 （MW） 60

導(dǎo)通時間 （μs）35... ∞  

外殼尺寸 （mm3 ） 122 x 64 x 31

說明

這些固態(tài)開關(guān)專為高壓高峰值電流開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，例如壓電

驅(qū)動器、閃光燈驅(qū)動器、撬棒電路和浪涌發(fā)生器。這里描述的

開關(guān)模塊是在一種特殊類型的可控硅(硅控整流器)的基礎(chǔ)上

開發(fā)的，具有非常高的浪涌電流能力。每個開關(guān)模塊由大量的

這些可控硅串聯(lián)和并聯(lián)組成。非常快速和同步開啟的所有可控

硅的是由一個特殊的低阻抗驅(qū)動電路，它還提供了從控制輸入

電流隔離。內(nèi)部電流路徑優(yōu)化考慮雜散電感，允許導(dǎo)通

電流的變化率。與傳統(tǒng)的高壓開關(guān)如火花隙、電子管、氣體放

電管和機(jī)械開關(guān)相比，HTS-SCR系列晶閘管開關(guān)具有非常低的

抖動和穩(wěn)定的開關(guān)特性，不受溫度和年齡的影響。平均無沒障

時間(平均沒故障工作時間)比傳統(tǒng)的高壓開關(guān)高出幾個數(shù)量

級。

設(shè)計(jì)

抗干擾控制電路提供信號調(diào)節(jié)、輔助電壓監(jiān)控、頻率限制和溫度保護(hù)。在錯誤的操作條件下

，開關(guān)立即關(guān)閉并產(chǎn)生故障信號。一個特殊的同步輸入允

許多達(dá)50個開關(guān)模塊的并行互連，以增加單個模塊的導(dǎo)

通峰值電流。開關(guān)是由一個3到10伏的正向信號觸發(fā)的。

被觸發(fā)后的SCR開關(guān)保持在導(dǎo)通狀態(tài)，直到負(fù)載電流低于保持電流(典型的晶

閘管行為)。關(guān)斷過程需要電流換向、電流限制或電流旁路。

在大多數(shù)放電應(yīng)用中，關(guān)斷過程可以簡單地通過保持能量存儲

電容器的充電電流低于開關(guān)的保持電流來執(zhí)行。高于保持電流

的充電電流需要旁路開關(guān)，優(yōu)選采用MOSFET技術(shù)。

HVP高壓固態(tài)開關(guān)HTS 60-1000-SCR

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